Intel：3D XPoint
Intel 近年真悶，但在 2015 年 7 月 28 日正式發表 3D XPoint 顛覆性全閃存的產品後，應該足以逆推市場上的聲浪了。
3D XPoint 的亮點：
- 存儲單元依電壓讀取，不再依賴電晶體。
- 每個晶粒可存儲 128 GB。
- 較 NAND 快 1000 倍，耐寫高 1000 倍。
- 較 DRAM 容量多 10 倍，成本更低，且速度慢不到 10 倍。
這項突破技術原本快被各 Memory (Samsung / Micron 等) 大廠放棄，但當 Intel 知道後，說你們做不出來喔？這簡單，我來幫你們搞定好了。
果然做 CPU 的公司就是有搞頭，Intel 協助在 3D PCM 上處理許多堆疊散熱、並發功耗，以及傳輸帶寬的問題。
最後 3D XPoint 產品還真的保密到家，搜尋引擎上在發表前幾乎沒有相關訊息，Intel 及其合作夥伴也沒有發表相關論文。只有在 Seeking Alpha 上找到 6 月的報導，透露研發費至少數 10 億美金。